SI5915DC-T1-E3 - MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
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MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
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Technische Daten für SI5915DC-T1-E3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SI5915DC-T1-E3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 450mV @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 9nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
Leistung max : 1.1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SI5915DC-T1-E3
Datenblätter : SI5915DC-T1-E3.pdf
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