TC58BVG1S3HBAI6 - IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
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Interne Teilenummer
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Kurze Beschreibung
IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
131615 Pieces
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Technische Daten für TC58BVG1S3HBAI6
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TC58BVG1S3HBAI6
Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.
Beschreibung : IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Serie : Benand™
Teilestatus : Active
Speichertyp : Non-Volatile
Speicherformat : FLASH
Technologie : FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße : 2Gb (256M x 8)
Taktfrequenz : -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns
Zugriffszeit : 25ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 67-VFBGA
Supplier Device Package : 67-VFBGA (6.5x8)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für TC58BVG1S3HBAI6
Datenblätter : TC58BVG1S3HBAI6.pdf
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