SP8M70TB1 - MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

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MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
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Technische Daten für SP8M70TB1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SP8M70TB1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N and P-Channel
FET-Funktion : Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 25V
Leistung max : 650mW
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SOP
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für SP8M70TB1

Datenblätter : SP8M70TB1.pdf

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