IRF7807D1PBF - MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IRF7807D1PBF
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
68825 Pieces
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Technische Daten für IRF7807D1PBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRF7807D1PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Serie :
FETKY™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRF7807D1PBF
Datenblätter :
IRF7807D1PBF.pdf
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