STP11N60DM2 - N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.

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N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
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Technische Daten für STP11N60DM2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : STP11N60DM2
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
Serie : MDmesh™ DM2
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 16.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 614pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 110W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für STP11N60DM2

Datenblätter : STP11N60DM2.pdf

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