BSO612CVGHUMA1 - MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1050655 Pieces
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Technische Daten für BSO612CVGHUMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
BSO612CVGHUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
340pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für BSO612CVGHUMA1
Datenblätter :
BSO612CVGHUMA1.pdf
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