DMN61D8LVTQ-13 - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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Technische Daten für DMN61D8LVTQ-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN61D8LVTQ-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.74nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 12.9pF @ 12V
Leistung max : 820mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package : TSOT-26
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN61D8LVTQ-13
Datenblätter : DMN61D8LVTQ-13.pdf
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