CSD17581Q3AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE

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Kurze Beschreibung
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für CSD17581Q3AT

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD17581Q3AT
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.7V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.8W (Ta), 63W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-VSONP (3x3.15)
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für CSD17581Q3AT

Datenblätter : CSD17581Q3AT.pdf

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