QS8M12TCR - MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

Hersteller Teilenummer

QS8M12TCR

Interne Teilenummer

AX-QS8M12TCR

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1499935 Pieces

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Technische Daten für QS8M12TCR

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : QS8M12TCR

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N and P-Channel

FET-Funktion : Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.4nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 250pF @ 10V

Leistung max : 1.5W

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead

Supplier Device Package : TSMT8

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für QS8M12TCR

Datenblätter : QS8M12TCR.pdf

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