FQA8N80C_F109 - MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für FQA8N80C_F109
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
FQA8N80C_F109
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.55 Ohm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
220W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3P
Paket / fall :
TO-3P-3, SC-65-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für FQA8N80C_F109
Datenblätter :
FQA8N80C_F109.pdf
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