RCD100N19TL - MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

Hersteller Teilenummer

RCD100N19TL

Interne Teilenummer

AX-RCD100N19TL

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für RCD100N19TL

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RCD100N19TL

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 190V 10A CPT3

Serie : -

Teilestatus : Not For New Designs

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 190V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 182 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 52nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : CPT3

Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RCD100N19TL

Datenblätter : RCD100N19TL.pdf

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