IPD100N06S403ATMA1 - MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für IPD100N06S403ATMA1
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IPD100N06S403ATMA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
Serie : OptiMOS™
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 90µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 128nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 10400pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PG-TO252-3-11
Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IPD100N06S403ATMA1
Datenblätter : IPD100N06S403ATMA1.pdf
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