IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRFHM8363TRPBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRFHM8363TRPBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1165pF @ 10V
Leistung max : 2.7W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerVDFN
Supplier Device Package : 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRFHM8363TRPBF
Datenblätter : IRFHM8363TRPBF.pdf
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