IRFHM8363TRPBF - MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
1214560 Pieces
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Technische Daten für IRFHM8363TRPBF
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IRFHM8363TRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1165pF @ 10V
Leistung max :
2.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IRFHM8363TRPBF
Datenblätter :
IRFHM8363TRPBF.pdf
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