2N7636-GA - TRANS SJT 650V 4A TO276

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
TRANS SJT 650V 4A TO276
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Technische Daten für 2N7636-GA

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : 2N7636-GA
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 650V 4A TO276
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc) (165°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 324pF @ 35V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 125W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-276
Paket / fall : TO-276AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : 2N7 , 2N76

Dokumente für 2N7636-GA

Datenblätter : 2N7636-GA.pdf

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