K4F8E3S4HB-MFCJ - 8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für K4F8E3S4HB-MFCJ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
K4F8E3S4HB-MFCJ
Hersteller :
Samsung Semiconductor
Beschreibung :
8 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Dichte :
8 Gb
Org. :
x32
Geschwindigkeit :
3733 Mbps
Stromspannung :
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. :
-40 ~ 95 °C
Paket :
200FBGA
Produckstatus :
Mass Production
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für K4F8E3S4HB-MFCJ
Datenblätter :
K4F8E3S4HB-MFCJ.pdf
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