SIHP8N50D-GE3 - MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIHP8N50D-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIHP8N50D-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
527pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
156W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIHP8N50D-GE3
Datenblätter :
SIHP8N50D-GE3.pdf
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