IPI072N10N3GXK - MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Hersteller Teilenummer

IPI072N10N3GXK

Interne Teilenummer

AX-IPI072N10N3GXK

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

22582 Pieces

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Technische Daten für IPI072N10N3GXK

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : IPI072N10N3GXK

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

Serie : OptiMOS™ 3

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4910pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 150W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : PG-TO262-3

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : IPI0 , IPI072N

Dokumente für IPI072N10N3GXK

Datenblätter : IPI072N10N3GXK.pdf

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