STB25NM60N-1 - MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

Hersteller Teilenummer

STB25NM60N-1

Interne Teilenummer

AX-STB25NM60N-1

Hersteller

STMicroelectronics

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

61675 Pieces

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Technische Daten für STB25NM60N-1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : STB25NM60N-1

Hersteller : STMicroelectronics

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK

Serie : MDmesh™ II

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 84nC @ 10V

Vgs (Max) : ±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 160W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : I2PAK

Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : STB2 , STB25N

Dokumente für STB25NM60N-1

Datenblätter : STB25NM60N-1.pdf

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Artikelnummer	Marke	Beschreibung
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