PHB193NQ06T,118 - MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Hersteller Teilenummer

PHB193NQ06T,118

Interne Teilenummer

AX-PHB193NQ06T,118

Hersteller

NXP USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

24192 Pieces

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Technische Daten für PHB193NQ06T,118

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PHB193NQ06T,118

Hersteller : NXP USA Inc.

Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Serie : TrenchMOS™

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 85.6nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 5082pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : D2PAK

Paket / fall : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für PHB193NQ06T,118

Datenblätter : PHB193NQ06T,118.pdf

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