IRLHM620TR2PBF - MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für IRLHM620TR2PBF
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IRLHM620TR2PBF
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 20V 26A PQFN
Serie : HEXFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 26A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 78nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3620pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.7W (Ta), 37W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PQFN (3x3)
Paket / fall : 8-VQFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für IRLHM620TR2PBF
Datenblätter : IRLHM620TR2PBF.pdf
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