TH58NYG2S3HBAI4 - 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller Teilenummer

TH58NYG2S3HBAI4

Interne Teilenummer

AX-TH58NYG2S3HBAI4

Hersteller

Toshiba Memory America, Inc.

Kurze Beschreibung

4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

67080 Pieces

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Technische Daten für TH58NYG2S3HBAI4

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TH58NYG2S3HBAI4

Hersteller : Toshiba Memory America, Inc.

Beschreibung : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Serie : -

Teilestatus : Active

Speichertyp : Non-Volatile

Speicherformat : FLASH

Technologie : FLASH - NAND (SLC)

Speichergröße : 4Gb (512M x 8)

Taktfrequenz : -

Schreibzykluszeit - Wort, Seite : 25ns

Zugriffszeit : -

Speicherschnittstelle : Parallel

Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur : -40°C ~ 85°C (TA)

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : 63-BGA

Supplier Device Package : 63-BGA (9x11)

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : TH58N , TH58NYG

Dokumente für TH58NYG2S3HBAI4

Datenblätter : TH58NYG2S3HBAI4.pdf

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