APTGL475U120DAG - POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
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Kurze Beschreibung
POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für APTGL475U120DAG
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : APTGL475U120DAG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 610A
Leistung max : 2307W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.2V @ 15V, 400A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 4mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 24.6nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP6
Supplier Device Package : SP6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für APTGL475U120DAG
Datenblätter : APTGL475U120DAG.pdf
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