SIZ900DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIZ900DT-T1-GE3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIZ900DT-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1830pF @ 15V
Leistung max : 48W, 100W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 6-PowerPair™
Supplier Device Package : 6-PowerPair™
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für SIZ900DT-T1-GE3
Datenblätter : SIZ900DT-T1-GE3.pdf
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