SI2319DDS-T1-GE3 - MOSFET P-CHAN 40V

Hersteller Teilenummer

SI2319DDS-T1-GE3

Interne Teilenummer

AX-SI2319DDS-T1-GE3

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CHAN 40V

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

2398720 Pieces

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Technische Daten für SI2319DDS-T1-GE3

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SI2319DDS-T1-GE3

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET P-CHAN 40V

Serie : TrenchFET® Gen III

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta), 3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 20V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1W (Ta), 1.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : SOT-23-3 (TO-236)

Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SI231 , SI2319DD

Dokumente für SI2319DDS-T1-GE3

Datenblätter : SI2319DDS-T1-GE3.pdf

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