SIDC30D120E6X1SA2 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SIDC30D120E6X1SA2

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : SIDC30D120E6X1SA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie : -
Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 1200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 35A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.9V @ 35A
Geschwindigkeit : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : -
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 27µA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : Die
Supplier Device Package : Sawn on foil
Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : SIDC3 , SIDC30D1

Dokumente für SIDC30D120E6X1SA2

Datenblätter : SIDC30D120E6X1SA2.pdf

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