TPH8R80ANH,L1Q - MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Hersteller Teilenummer

TPH8R80ANH,L1Q

Interne Teilenummer

AX-TPH8R80ANH,L1Q

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

642315 Pieces

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Technische Daten für TPH8R80ANH,L1Q

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : TPH8R80ANH,L1Q

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Serie : U-MOSVIII-H

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 32A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2800pF @ 50V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta), 61W (Tc)

Betriebstemperatur : 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : 8-SOP Advance (5x5)

Paket / fall : 8-PowerVDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für TPH8R80ANH,L1Q

Datenblätter : TPH8R80ANH,L1Q.pdf

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