SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
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Technische Daten für SIS892DN-T1-GE3
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SIS892DN-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
21.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
611pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SIS892DN-T1-GE3
Datenblätter :
SIS892DN-T1-GE3.pdf
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