PMFPB8032XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für PMFPB8032XP,115
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
PMFPB8032XP,115
Hersteller :
Nexperia USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
550pF @ 10V
FET-Funktion :
Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) :
485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-HUSON-EP (2x2)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für PMFPB8032XP,115
Datenblätter :
PMFPB8032XP,115.pdf
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