PMFPB8032XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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Technische Daten für PMFPB8032XP,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMFPB8032XP,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V
FET-Funktion : Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 6-HUSON-EP (2x2)
Paket / fall : 6-UDFN Exposed Pad
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMFPB8032XP,115
Datenblätter : PMFPB8032XP,115.pdf
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