PMDT290UNE,115 - MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
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Technische Daten für PMDT290UNE,115
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : PMDT290UNE,115
Hersteller : Nexperia USA Inc.
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 800mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.68nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 83pF @ 10V
Leistung max : 500mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SOT-666
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für PMDT290UNE,115
Datenblätter : PMDT290UNE,115.pdf
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