RN1110MFV,L3F - TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller Teilenummer

RN1110MFV,L3F

Interne Teilenummer

AX-RN1110MFV,L3F

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Kurze Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

16135505 Pieces

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Technische Daten für RN1110MFV,L3F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : RN1110MFV,L3F

Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage

Beschreibung : TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Serie : -

Teilestatus : Active

Transistortyp : NPN - Pre-Biased

Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA

Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V

Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2) : -

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 120 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 500µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang : -

Leistung max : 150mW

Befestigungsart : Surface Mount

Paket / fall : SOT-723

Supplier Device Package : VESM

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für RN1110MFV,L3F

Datenblätter : RN1110MFV,L3F.pdf

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