FCP099N60E - MOSFET N-CH 600V TO220

Hersteller Teilenummer

FCP099N60E

Interne Teilenummer

AX-FCP099N60E

Hersteller

ON Semiconductor

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 600V TO220

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

189355 Pieces

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Technische Daten für FCP099N60E

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : FCP099N60E

Hersteller : ON Semiconductor

Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO220

Serie : SuperFET® II

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3465pF @ 380V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 357W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-220-3

Paket / fall : TO-220-3

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Dokumente für FCP099N60E

Datenblätter : FCP099N60E.pdf

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