FDU8882 - MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK

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MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
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Technische Daten für FDU8882

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : FDU8882
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Obsolete
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12.6A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1260pF @ 15V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 55W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : FDU8882.pdf

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