TK25N60X,S1F - MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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USD 2.562
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Technische Daten für TK25N60X,S1F

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : TK25N60X,S1F
Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Serie : DTMOSIV-H
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 25A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 300V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 180W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für TK25N60X,S1F

Datenblätter : TK25N60X,S1F.pdf

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