SCT2H12NYTB - 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Hersteller Teilenummer

SCT2H12NYTB

Interne Teilenummer

AX-SCT2H12NYTB

Hersteller

Rohm Semiconductor

Kurze Beschreibung

1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

127010 Pieces

Referenzpreis

~~USD 2.2089~~

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Technische Daten für SCT2H12NYTB

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : SCT2H12NYTB

Hersteller : Rohm Semiconductor

Beschreibung : 1700V 1.2 OHM 4A SIC FET

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : SiCFET (Silicon Carbide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 410µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 184pF @ 800V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 44W (Tc)

Betriebstemperatur : 175°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : TO-268

Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : SCT , SCT2H

Dokumente für SCT2H12NYTB

Datenblätter : SCT2H12NYTB.pdf

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