2N6661JAN02 - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-2N6661JAN02
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für 2N6661JAN02
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
2N6661JAN02
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
90V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
860mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
50pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-39
Paket / fall :
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für 2N6661JAN02
Datenblätter :
2N6661JAN02.pdf
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