2N6661JAN02 - MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Hersteller Teilenummer

2N6661JAN02

Interne Teilenummer

AX-2N6661JAN02

Hersteller

Vishay Siliconix

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

Lieferzeit

1-2 Tage

verfügbare Anzahl

67105 Pieces

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Technische Daten für 2N6661JAN02

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : 2N6661JAN02

Hersteller : Vishay Siliconix

Beschreibung : MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Serie : -

Teilestatus : Obsolete

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 90V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 860mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 1mA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 50pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 725mW (Ta), 6.25W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Through Hole

Supplier Device Package : TO-39

Paket / fall : TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : 2N6 , 2N666

Dokumente für 2N6661JAN02

Datenblätter : 2N6661JAN02.pdf

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