CSD22202W15 - MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA

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MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
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Technische Daten für CSD22202W15

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : CSD22202W15
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 8V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : -6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1390pF @ 4V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 9-DSBGA
Paket / fall : 9-UFBGA, DSBGA
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Datenblätter : CSD22202W15.pdf

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