TK31V60W5,LVQ - MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
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Interne Teilenummer
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
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Technische Daten für TK31V60W5,LVQ
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
TK31V60W5,LVQ
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN
Serie :
DTMOSIV
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
109 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 300V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
240W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TA)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-DFN-EP (8x8)
Paket / fall :
4-VSFN Exposed Pad
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für TK31V60W5,LVQ
Datenblätter :
TK31V60W5,LVQ.pdf
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