IXFA3N120 - MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Hersteller Teilenummer
Interne Teilenummer
AX-IXFA3N120
Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Lieferzeit
1-2 Tage
verfügbare Anzahl
85425 Pieces
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Technische Daten für IXFA3N120
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IXFA3N120
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
Serie :
HiPerFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
39nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1050pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
200W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-263 (IXFA)
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IXFA3N120
Datenblätter :
IXFA3N120.pdf
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