BSZ042N06NSATMA1 - MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

Hersteller Teilenummer

BSZ042N06NSATMA1

Interne Teilenummer

AX-BSZ042N06NSATMA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

645215 Pieces

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Technische Daten für BSZ042N06NSATMA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSZ042N06NSATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON

Serie : OptiMOS™

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 17A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 36µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2000pF @ 30V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-TSDSON-8-FL

Paket / fall : 8-PowerTDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

ähnliche Links : BSZ04 , BSZ042N0

Dokumente für BSZ042N06NSATMA1

Datenblätter : BSZ042N06NSATMA1.pdf

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