SI8810EDB-T2-E1 - MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für SI8810EDB-T2-E1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
SI8810EDB-T2-E1
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 8V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
500mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
4-Microfoot
Paket / fall :
4-XFBGA
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für SI8810EDB-T2-E1
Datenblätter :
SI8810EDB-T2-E1.pdf
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