PMZB670UPE,315 - MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Hersteller Teilenummer

PMZB670UPE,315

Interne Teilenummer

AX-PMZB670UPE,315

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Kurze Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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Technische Daten für PMZB670UPE,315

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : PMZB670UPE,315

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Beschreibung : MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

Serie : -

Teilestatus : Active

FET-Typ : P-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 680mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1.3V @ 250µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.14nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 87pF @ 10V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta), 2.7W (Tc)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : DFN1006B-3

Paket / fall : 3-XFDFN

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : PMZB670UPE,315.pdf

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