DMN2029USD-13 - MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
RoHS-Status
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Technische Daten für DMN2029USD-13
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN2029USD-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.6nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1171pF @ 10V
Leistung max : 1.2W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package : 8-SO
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für DMN2029USD-13
Datenblätter : DMN2029USD-13.pdf
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