MT49H64M9CBM-25E:B - IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
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Kurze Beschreibung
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
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Technische Daten für MT49H64M9CBM-25E:B
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : MT49H64M9CBM-25E:B
Hersteller : Micron Technology Inc.
Beschreibung : IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA
Serie : -
Teilestatus : Obsolete
Speichertyp : Volatile
Speicherformat : DRAM
Technologie : DRAM
Speichergröße : 576Mb (64M x 9)
Taktfrequenz : 400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite : -
Zugriffszeit : 15ns
Speicherschnittstelle : Parallel
Spannungsversorgung : 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur : 0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 144-TFBGA
Supplier Device Package : 144-µBGA (18.5x11)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für MT49H64M9CBM-25E:B
Datenblätter : MT49H64M9CBM-25E:B.pdf
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