IPD65R1K4CFDBTMA1 - MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
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Hersteller
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
915615 Pieces
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Technische Daten für IPD65R1K4CFDBTMA1
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
IPD65R1K4CFDBTMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
262pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
28.4W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für IPD65R1K4CFDBTMA1
Datenblätter :
IPD65R1K4CFDBTMA1.pdf
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