RRH090P03TB1 - MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

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Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
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Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RRH090P03TB1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RRH090P03TB1
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Serie : -
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : P-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 15.4 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 10V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 650mW (Ta)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 8-SOP
Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für RRH090P03TB1

Datenblätter : RRH090P03TB1.pdf

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