RJK2006DPE-00#J3 - MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
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Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Technische Daten für RJK2006DPE-00#J3
Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : RJK2006DPE-00#J3
Hersteller : Renesas Electronics America
Beschreibung : MOSFET N-CH 200V 40A LDPAK
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 59 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 43nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 100W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : 4-LDPAK
Paket / fall : SC-83
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
Dokumente für RJK2006DPE-00#J3
Datenblätter : RJK2006DPE-00#J3.pdf
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