BSP318SH6327XTSA1 - MOSFET N-CH 60V 2.6A

Hersteller Teilenummer

BSP318SH6327XTSA1

Interne Teilenummer

AX-BSP318SH6327XTSA1

Hersteller

Infineon Technologies

Kurze Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 2.6A

RoHS-Status

Bleifrei / RoHS-konform

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1-2 Tage

verfügbare Anzahl

1198990 Pieces

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Technische Daten für BSP318SH6327XTSA1

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie

Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt

Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Artikelnummer : BSP318SH6327XTSA1

Hersteller : Infineon Technologies

Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 2.6A

Serie : SIPMOS®

Teilestatus : Active

FET-Typ : N-Channel

Technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V

Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tj)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 20µA

Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 380pF @ 25V

FET-Funktion : -

Verlustleistung (max.) : 1.8W (Ta)

Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart : Surface Mount

Supplier Device Package : PG-SOT223-4

Paket / fall : TO-261-4, TO-261AA

Gewicht : -

Bedingung : Neu und originell

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Datenblätter : BSP318SH6327XTSA1.pdf

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