IMB3AT110 - TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

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TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
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Technische Daten für IMB3AT110

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : IMB3AT110
Hersteller : Rohm Semiconductor
Beschreibung : TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Serie : -
Teilestatus : Active
Transistortyp : 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 100mA
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 50V
Widerstand - Basis (R1) : 4.7 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2) : -
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce : 100 @ 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : -
Frequenz - Übergang : 250MHz
Leistung max : 300mW
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SC-74, SOT-457
Supplier Device Package : SMT6
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
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Dokumente für IMB3AT110

Datenblätter : IMB3AT110.pdf

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