DMN63D8LV-7 - MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

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MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
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Technische Daten für DMN63D8LV-7

Qualitätsgarantie : 365 Tage Garantie
Lagerressource : Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer : DMN63D8LV-7
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 260mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.87nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 22pF @ 25V
Leistung max : 450mW
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : SOT-563, SOT-666
Supplier Device Package : SOT-563
Gewicht : -
Bedingung : Neu und originell
ähnliche Links : DMN , DMN63

Dokumente für DMN63D8LV-7

Datenblätter : DMN63D8LV-7.pdf

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