ZXMN3A04DN8TA - MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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1-2 Tage
verfügbare Anzahl
392940 Pieces
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Technische Daten für ZXMN3A04DN8TA
Qualitätsgarantie :
365 Tage Garantie
Lagerressource :
Franchise-Händler / Hersteller direkt
Herkunftsland :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Artikelnummer :
ZXMN3A04DN8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
36.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1890pF @ 15V
Leistung max :
1.81W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SOP
Gewicht :
-
Bedingung :
Neu und originell
Dokumente für ZXMN3A04DN8TA
Datenblätter :
ZXMN3A04DN8TA.pdf
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